特許

J-GLOBAL ID：200903078235938671

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮尾 哲郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224323
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069591
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【目的】ICチップを回路基板に直接実装する構造、特にCOBにおいて、小型で回路基板を安価にできる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【構成】封止樹脂の流れ防止用の枠を不要としたCOB実装構造。封止樹脂の流れ防止用のダムを高粘度の樹脂で形成する。ダム用樹脂9には粘度が1500〜3000ポイズ(25°C)程度の高粘度のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いる。このダム用樹脂9は、基板側の接続用端子4のボンディングワイヤー5との接合部上に、半導体素子の周囲を切れ間なく囲むように形成する。またダム用樹脂9の内側には、ICチップ2およびボンディングワイヤー5を封止する封止樹脂6を充填する。この封止樹脂6は粘度100〜500ポイズ(25°C)程度の低粘度のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いた構造となっている。

請求項（抜粋）：

保護層にて被覆し一部のみ前記保護層から露出した接続用端子が配設された回路基板と、前記回路基板上の所望の位置に搭載・固定され、前記接続用端子と電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子の周囲を切れ間なく囲むように設けられた樹脂部と、前記樹脂部の内側に充填された封止樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/28 C ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/30 B