特許
J-GLOBAL ID：200903078241021933
薄層セラミックシート製造用離型フィルム及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲吉▼川 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189392
公開番号（公開出願番号）：特開2005-022201
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】剥離帯電が小さく、剥離性に優れる、薄層セラミックシート製造用のキャリアフィルムとして好適な離型フィルムを提供する。【解決手段】末端カルボキシル基濃度(AV:eq/ton)と末端水酸基濃度(OHV:eq/ton)が下記式(1)及び(2)を満足するポリエステルフィルムの片面に、硬化反応後の残留Si-H基指数(Rh)及び残留Si-CH=CH2基指数(Rv)が下記式(3)及び(4)を満足するシリコーン樹脂からなる離型層を設けてなる、薄層セラミックシート製造用離型フィルム。 AV≦40 ・・・(1) AV+OHV≦120 ・・・(2) Rh(=Ih/Im)≦0.01・・・(3) Rv(=((Iv-0.765×Iph)/Im)-(Iph/Im))≦0.08・・・(4)但し、Ih、Iv、Im、Iphは、それぞれラマンスペクトルにおける、2170cm-1付近のSi-H基由来のピーク高さ、1598cm-1付近のSi-CH=CH2基由来のピーク高さ、1410cm-1付近のSi-CH3基由来のピーク高さ、1570cm-1付近のSi-C6H5基由来のピーク高さを示す。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ポリエステルフィルムの片面に、主として硬化型シリコーン樹脂からなる離型層を設けてなる薄層セラミックシート製造用離型フィルムであって、前記ポリエステルフィルムは末端カルボキシル基濃度(AV:eq/ton)と末端水酸基濃度(OHV:eq/ton)が下記式(1)及び(2)を満足し、かつ前記離型層は前記硬化型シリコーン樹脂の硬化反応後の残留Si-H基指数(Rh)及び残留Si-CH=CH2基指数(Rv)が下記式(3)及び(4)を満足することを特徴とする薄層セラミックシート製造用離型フィルム。
AV≦40 ・・・(1)
AV+OHV≦120 ・・・(2)
Rh(=Ih/Im)≦0.01 ・・・(3)
Rv(=((Iv-0.765×Iph)/Im)-(Iph/Im))≦0.08 ・・・(4)
但し、上記式(3)及び(4)において、Ih、Iv、Im、Iphは、それぞれラマンスペクトル測定における、2170cm-1付近のSi-H基由来のピーク高さ、1598cm-1付近のSi-CH=CH2 基由来のピーク高さ、1410cm-1付近のSi-CH3 基由来のピーク高さ、1570cm-1付近のSi-C6H5 基由来のピーク高さを示す。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4F073AA28
, 4F073AA32
, 4F073BA23
, 4F073BB01
, 4F073FA08
, 4G052DA05
, 4G052DB02
, 4G052DB10
出願人引用 (1件)
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離型フィルム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-375373
出願人：東洋紡績株式会社
審査官引用 (1件)
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離型フィルム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-375373
出願人：東洋紡績株式会社
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