特許
J-GLOBAL ID：200903078241351852
CVD薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275548
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 基板面上に基板を構成する元素の酸化物を形成しないCVD薄膜形成方法を得る。【構成】 複数種の金属化合物ガスg1と酸化性ガスg2とを薄膜形成室6内に供給し、前記薄膜形成室6内に配設された基板3上に金属酸化物薄膜4を形成するCVD薄膜形成方法において、金属を分子内に有する金属化合物ガスg1のみを前記薄膜形成室6内に供給して、基板3と複数種の金属化合物ガスg1とを馴染ませる第一工程と第一工程にひき続いて薄膜形成室6内に、複数種の金属化合物ガスg1と酸化性ガスg2を供給して薄膜を形成する第二工程を備えて、薄膜の形成をおこなう。
請求項（抜粋）：
複数種の金属化合物ガス(g1)と酸化性ガス(g2)とを薄膜形成室(6)内に供給し、前記薄膜形成室(6)内に配設された基板(3)上に金属酸化物薄膜(4)を形成するCVD薄膜形成方法であって、酸素を分子内に有する金属化合物ガス(g1)のみを前記薄膜形成室(6)内に供給して、前記基板(3)と前記金属化合物ガス(g1)とを馴染ませる第一工程と、前記第一工程にひき続いて前記薄膜形成室(6)内に、前記複数種の金属化合物ガス(g1)と前記酸化性ガス(g2)を供給して薄膜を形成する第二工程を備えたCVD薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
