特許
J-GLOBAL ID：200903078243131744
半導体レーザモジュールおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262299
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113931
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 気密封止状態を個別保証し、かつ、実装時の応力に影響される光出力劣化を小さく抑制する。【構成】 半導体レーザモジュールは、壁面に前記光アイソレータ12の先端部よりもわずかに大きい貫通孔10aが形成された金属ケース10を備えている。金属ケース10の内部には半導体レーザ1、集光用レンズ6などを搭載した金属ベース4がペルチエ素子11を介して取り付けられ、前記光アイソレータ12の先端部と金属ケース10の貫通孔10aとが半田13により密着固定されている。さらに金属ケース10の開口は金属蓋14にて半田封止されている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、該半導体レーザが載置されるとともに前記半導体レーザからの出力光を集光させる集光用レンズが密着固定された金属ベースと、前記半導体レーザが内蔵され、側壁に前記半導体レーザからの出力光を通過させるための貫通孔が形成された金属ケースと、該金属ケースを気密封止するための金属蓋と、光ファイバとを備えた半導体レーザモジュールにおいて、前記金属ベースに固定された、前記集光用レンズにより集光された半導体レーザの光路の一部を気密遮蔽する金属筐体部を有し、前記金属ケースの貫通孔が前記金属筐体部と半田により封止されることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
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