特許

J-GLOBAL ID：200903078243321454

化合物半導体発光素子

発明者： 小野 善伸 ,  安部 寿充 ,  山中 貞則
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-080415
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268601
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 化合物半導体発光素子における光取り出し効率を向上させること。【解決手段】 発光ダイオード10の窒化物半導体層3のトンネリングコンタクト層(CTL層)38に接して透明導電性オーミック電極層としてホール注入用オーミック電極層4を設け、さらにホール注入用オーミック電極層4に接して透明薄膜層5を設ける構成とした。ホール注入用オーミック電極層4をITOとすることにより光透過率の高い電極を構成することができ、これにより光取り出し効率を改善できる。ホール注入用オーミック電極層4の光学膜厚は発光波長の1/4の整数倍とすることにより、より一層光取り出し効率を改善できる。また、透明薄膜層5を設け、屈折率と膜厚を調整することにより反射率を極めて小さくすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光層とオーミック電極とを有し、前記発光層からの光を光取出し面から素子の外部に出射する化合物半導体発光素子であって、前記発光層に関して光取出し面側にあるオーミック電極が透明導電膜からなり、該透明導電膜の面であって発光層側の面と反対側の面に接して前記光の反射を低減する機能を有する反射率低減層が設けられており、該反射率低減層が1つ以上の透明性薄膜を含んで成っていることを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92