特許

J-GLOBAL ID：200903078244923520

窒化物半導体発光素子

発明者： 藤岡 陽 ,  福田 芳克 ,  奥田 誠
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380578
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214337
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】静電耐圧特性が優れた窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】それぞれ複数の窒化物半導体層からなるp側層とn側層の間にInを含む窒化物半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子であって、p側層はpオーミック電極を形成する層としてp型コンタクト層を含み、該p型コンタクト層の膜厚を5000Å以上30000Å以下に設定した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれ複数の窒化物半導体層からなるp側層とn側層の間にInを含む窒化物半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子であって、上記p側層はpオーミック電極を形成する層としてp型コンタクト層を含み、該p型コンタクト層の膜厚が5000Å以上30000Å以下に設定されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/042

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/042 614

Fターム (14件)：

5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041FF11 ,  5F073AA42 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA03 ,  5F073CB05 ,  5F073CB08 ,  5F073CB10