特許

J-GLOBAL ID：200903078245040070

赤外半導体発光素子

発明者： 高梨 良文 ,  倉持 栄一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079047
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 容易に作製でき、且つ、高性能な赤外半導体発光素子を提供する。【構成】 GaSb基板上にエピタキシャル成長した障壁層にAl1-x1Gax1Sb半導体、井戸層に歪In1-x2Gax2Sb半導体(x=0〜0.5)からなる多重量子井戸層を活性層とする。

請求項（抜粋）：

GaSb基板上にエピタキシャル成長した障壁層にAl1-x1Gax1Sb半導体、井戸層に歪In1-x2Gax2Sb半導体(x=0〜0.5)からなる多重量子井戸層を活性層とすることを特徴とする赤外発光素子。