特許
J-GLOBAL ID:200903078249531930

圧電セラミック素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-030803
公開番号(公開出願番号):特開平6-244472
出願日: 1993年02月19日
公開日(公表日): 1994年09月02日
要約:
【要約】【目的】 電極被膜を圧電性セラミック板の表面に精度よく蒸着またはスパッタリングすることができる圧電セラミック素子の製造方法を提供すること。【構成】 圧電性セラミック板2の表面にセラミック製のマスク板9を添着し、このマスク板を昇温によって外面が凹となるように変形する傾向をもつ押さえ板10を用いて、上記セラミック板の表面に押圧しつつ、蒸着またはスパッタリングによる電極形成処理を行うことを特徴とする。
請求項(抜粋):
セラミック板の表面に所定形状の電極を蒸着またはスパッタリングによって形成してなる圧電セラミック素子の製造方法であって、上記セラミック板の表面にセラミック製のマスク板を添着し、かつこのマスク板を昇温によって外面が凹となるように変形する傾向をもつ押さえ板を用いて上記セラミック板の表面に押圧しつつ、上記電極形成処理を行うことを特徴とする、圧電セラミック素子の製造方法。
IPC (3件):
H01L 41/09 ,  H01L 41/24 ,  H03H 3/02
FI (2件):
H01L 41/08 L ,  H01L 41/22 Z

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