特許
J-GLOBAL ID:200903078253151840

熱赤外線検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-510001
公開番号(公開出願番号):特表2003-530538
出願日: 1998年08月11日
公開日(公表日): 2003年10月14日
要約:
【要約】赤外検出器は、エッチ阻止層(20)と活性基板(10)との間に配置された第1の断熱層(14)を含む。前記第1の断熱層はキセロゲルであり、好ましくはエーロゲルである。少なくとも1つの下部電極(26)と上部電極(26)と、それらの間に配置された熱作像素子(24)とを有する1つの画素はエッチ阻止層上に構成される。好ましくは熱作像素子のために直接薄膜析出技術を用いることが好ましい。この熱作像素子は、好ましくは焦電材料である。エッチ阻止層は、さらに熱作像素子を規定し、及び/または、下部電極を露出させるエッチング中に、画素の下に存在する第1の断熱層のその部分を防護し、画素の性能を向上させると共に、その画素を組み入れた検出器の性能を向上させる。検出器の封止により、その検出器を周囲の環境から保護してもよい。1つの実施の形態においては、窒化珪素層(69)、及びこの窒化珪素層と画素との間に配置されたオキシ-窒化物層(68)を介して、影響を受ける。
請求項(抜粋):
第1の半導体デバイスを含む基板と、 前記基板の少なくとも一部上に存在し、キセロゲルを含む第1の断熱層と、 前記第1の断熱層の少なくとも一部上に存在する第1のエッチ阻止層と、 を備える、熱赤外検出器において、 1つの画素は1つの下部電極と、前記下部電極の少なくとも一部上に存在する強誘電性材料を含む熱作像素子と、前記熱作像素子の少なくとも一部上に存在する上部電極と、を含み、 前記検出器はさらに、 前記第1のエッチ阻止層の少なくとも一部上に存在すると共に、前記第1の半導体デバイスと電気的に接続された第1の前記画素を備えることを特徴とする熱赤外検出器。
IPC (4件):
G01J 5/12 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  G01J 5/48
FI (5件):
G01J 5/12 ,  G01J 1/02 Y ,  G01J 5/02 A ,  G01J 5/02 C ,  G01J 5/48 A
Fターム (17件):
2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065BA36 ,  2G065BC33 ,  2G065CA15 ,  2G065DA20 ,  2G066BA01 ,  2G066BA02 ,  2G066BA04 ,  2G066BA09 ,  2G066BA11 ,  2G066BA41 ,  2G066BA55

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