導電膜のコンタクト構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165401
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031822
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】上層導電膜のコンタクト孔内に堆積した部分と下層導電膜との接触面の電流による異常発熱を抑制してコンタクト部の信頼性を高くする。【構成】下層導電膜であるドレイン電極のコンタクト孔対応部分をスリットsにより複数の領域29aに区画することにより、上層導電膜であるデータライン23のコンタクト孔34内に堆積した部分と前記ドレイン電極29との接触面における電流集中部の総長さを長くし、電流集中部の単位長さ当りの電流集中量を少なくして、前記接触面の電流による異常発熱を抑制した。

請求項（抜粋）：

下層導電膜を覆う絶縁膜の上に形成される上層導電膜を、前記絶縁膜に設けたコンタクト孔において前記下層導電膜に接続するコンタクト構造であって、前記下層導電膜と上層導電膜とのうち、いずれか一方の導電膜の前記コンタクト孔に対応する部分が、スリットにより複数の領域に区画されていることを特徴とする導電膜のコンタクト構造。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , G02F 1/136 500 , H01L 29/41 , H01L 29/786 , H05K 3/40 , H05K 3/46

FI (3件)：

H01L 21/88 Z , H01L 29/44 Z , H01L 29/78 311 S

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