特許
J-GLOBAL ID：200903078254429060
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029708
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 活性領域の機械的強度の低下を招くことなく、pn接合に起因する容量及び金属電極とのコンタクト抵抗の低減をはかることができ、高速変調特性に優れた半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 n型InP基板上11にストライプ状に形成された活性領域15と、この活性領域15上に形成されたp型のInP第1クラッド層13aと、この第1クラッド層13aの上面,側面及び活性領域15の側面に形成されたp型のInP第2クラッド層13bと、この第2クラッド層13bの上面及び側面に形成された、金属電極とのコンタクトを取るためのp型InGaAsコンタクト層14とを具備してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に形成された活性領域と、この活性領域上に形成された第2導電型のクラッド層と、このクラッド層の上面及び側面に形成された、電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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