特許

J-GLOBAL ID：200903078256296360

バイポーラ高周波トランジスタ

発明者： クヌート ブレンデルフアー ,  ヤーコプ フーバー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341327
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224320
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 1GHz以上の周波数における高い増幅を可能にするケース付きバイポーラ高周波トランジスタを提供する。【構成】 適当にドープされかつパターンを施され、ベース、コレクタおよびエミッタ接触部を有する、ドープされたシリコン基板から成る半導体チップを有し、ケースにより包み込まれ、またこれらの接触部がケースのベース、コレクタおよびエミッタ端子と接続されているバイポーラ高周波トランジスタにおいて、ベース、コレクタおよびエミッタ接触部2、3、4が半導体チップ1の表面に設けられており、半導体チップ1がその下面でケース8の高周波接地として構成されているエミッタ端子5の上に配置され、エミッタ接触部4が短い間隔でケース8のエミッタ端子5と、またベース接触部3がベース端子6と、またコレクタ接触部3がコレクタ端子7とそれぞれ少なくとも1つのボンディングワイヤ9を介して互いに接続されている。

請求項（抜粋）：

適当にドープされかつパターンを施され、ベース、コレクタおよびエミッタ接触部を有する、ドープされたシリコン基板から成る半導体チップを有し、ケースにより包み込まれ、またこれらの接触部がケースのベース、コレクタおよびエミッタ端子とそれぞれ接続されているバイポーラ高周波トランジスタにおいて、ベース、コレクタおよびエミッタ接触部(2、3、4)が半導体チップ(1)の表面に設けられ、半導体チップ(1)がその下面でケース(8)の高周波接地として構成されているエミッタ端子(5)の上に配置され、エミッタ接触部(4)が短い間隔でケース(8)のエミッタ端子(5)と接続され、またベース接触部(3)がベース端子(6)と、コレクタ接触部(3)がコレクタ端子(7)とそれぞれ少なくとも1つのボンディングワイヤ(9)を介して互いに接続されていることを特徴とするバイポーラ高周波トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 23/12 E ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-181373
  
• 特開昭63-181373
  
• 特開昭63-181373