特許
J-GLOBAL ID:200903078256847196

単結晶の育成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-304224
公開番号(公開出願番号):特開平5-117076
出願日: 1991年10月23日
公開日(公表日): 1993年05月14日
要約:
【要約】【目的】 引上法で単結晶を育成する際、多結晶の発生を抑制する。【構成】 種結晶4を保持する種結晶ホルダー3に超音波振動子1を取り付け、育成中の結晶を超音波振動させて結晶を育成する。【効果】 多結晶の発生を抑制して単結晶が育成される。
請求項(抜粋):
引上法を用いて結晶を育成するに際し、育成中の結晶を超音波振動させながら育成することを特徴とする単結晶の育成方法。
IPC (2件):
C30B 15/00 ,  C30B 30/06
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭63-011594

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