半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田英彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244685
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153734
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置において、電極の構造を改良すること。【解決手段】半導体基板11、12と、該半導体基板11、12表面に形成された第1電極15aと、該第1電極15a側部に該第1電極15aを挟むように形成された第1絶縁体16a及び第2絶縁体16bと、前記第1電極15a、前記第1絶縁体16a及び第2絶縁体16bの表面に形成され、前記第1電極15aと電気的に接続された第2電極21aと、前記第1絶縁体16aに関して前記第1電極15aと反対側の半導体基板11、12表面に形成された第3電極22aと、前記第2絶縁体16bに関して前記第1電極15aと反対側の半導体基板11、12表面に形成された第4電極23aとを備えたことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板表面に形成された第1電極と、該第1電極側部に該第1電極を挟むように形成された第1絶縁体及び第2絶縁体と、前記第1電極、前記第1絶縁体及び第2絶縁体の表面に形成され、前記第1電極と電気的に接続された第2電極と、前記第1絶縁体に関して前記第1電極と反対側の半導体基板表面に形成された第3電極と、前記第2絶縁体に関して前記第1電極と反対側の半導体基板表面に形成された第4電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/205 , H01L 29/41 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778

FI (5件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/205 , H01L 29/52 , H01L 29/72 , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-186648
特開平1-109772
特開平2-209737

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