特許
J-GLOBAL ID：200903078261628516
不揮発性半導体メモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003386
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209111
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性半導体メモリセルにおいて、第1に書込み速度を向上させることにあり、第2に信号伝播速度を向上させることにある。【構成】 Mo層4aとポシリコン層4bよりなるフローティングゲート4を設けるとともに、Mo層6よりなるコントロールゲート7を設けたものである。
請求項（抜粋）：
コントロールゲートと、フローティングゲートとを具備する不揮発性半導体メモリセルにおいて、フローティングゲートが高融点金属層の単層または高融点金属層を含む多層であることを特徴とする不揮発性半導体メモリセル。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
