特許

J-GLOBAL ID：200903078265087862

III族窒化物結晶の表面処理方法、III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板および半導体デバイス

発明者： 石橋 恵二 ,  西浦 隆幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-127730
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310362
出願日： 2005年04月26日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】 効率よくIII族窒化物結晶に平滑で加工変質層が薄い良品質の表面を形成するIII族窒化物結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】 III族窒化物結晶1の表面をポリシングするIII族窒化物結晶の表面処理方法であって、ポリシングに用いられるポリシング液17のpHの値xと酸化還元電位の値y(mV)とが、y≧-50x+1000(式(1))およびy≦-50x+1900(式(2))のいずれもの関係を満たすことを特徴とするIII族窒化物結晶の表面処理方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶の表面をポリシングするIII族窒化物結晶の表面処理方法であって、 前記ポリシングに用いられるポリシング液のpHの値xと酸化還元電位の値y(mV)とが、以下の式(1)および式(2)のいずれもの関係を満たすことを特徴とするIII族窒化物結晶の表面処理方法。 y≧-50x+1000 ・・・(1) y≦-50x+1900 ・・・(2)

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138667   出願人：松下電器産業株式会社
• 米国特許第6596079号明細書
  
• 米国特許第6488767号明細書
  
• 半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-100373   出願人：ロデール・ニッタ株式会社, 住友電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 3族窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-214003   出願人：豊田合成株式会社
• 多波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-375326   出願人：三菱電線工業株式会社