特許
J-GLOBAL ID：200903078270219262
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-362346
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164315
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】洗浄工程および乾燥時における銅の酸化を防止し、次工程における加熱処理あるいは減圧処理等の簡単な処理を行うだけで清浄な銅表面を得る酸化防止方法を提供すること。【解決手段】半導体基板上に銅を材料とした配線層を形成し、次いで炭素数3〜10のアセチレンアルコール類を含有する水溶液で処理した後、乾燥する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に銅を材料とした配線層を形成し、次いで炭素数3〜10のアセチレンアルコール類を含有する水溶液で処理した後、乾燥することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 647
, H01L 21/3205
H01L 21/304 647 A
, H01L 21/88 M
5F033HH11
, 5F033PP27
, 5F033QQ91
, 5F033XX20
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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