特許
J-GLOBAL ID：200903078273929180
レーザーアニーリング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347875
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187890
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：
【要約】【目的】 基板上に堆積された半導体材料のみを加熱できるとともに、溶融後固化するまでの時間を延長できるレーザーアニーリング方法を提供する。【構成】 第一のレーザー光14を照射して非晶質シリコン膜12の一部16を溶融させた直後に、第一のレーザー光よりも波長が長く、かつ、ビーム径が大きい第二のレーザー光18を、この溶融部分16に照射する。これにより、溶融部分16の周囲だけが局部的に加熱される。この加熱により、溶融部分が固化するまでに要する時間は延長され、したがって結晶化するときの粒径が大きくなり、これにより移動度を高めることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に堆積された材料にレーザー光を照射するレーザーアニーリング方法において、第一のレーザー光を照射して前記材料の一部を溶融させたあとこの溶融した部分が固化する前に、前記第一のレーザー光よりも波長が長く、前記第一のレーザー光よりもビーム径が大きく、かつ前記材料を溶融させない範囲のエネルギーを有する第二のレーザー光を、前記溶融した部分に照射することを特徴とするレーザーアニーリング方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, H01L 21/268
, H01L 21/324
