特許

J-GLOBAL ID：200903078274389073

光導波路素子および半導体レーザ装置

発明者： 福永 敏明 ,  早川 利郎 ,  国安 利明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286507
公開番号（公開出願番号）：特開2002-098847
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 光導波路素子に半導体発光素子を直接結合させてその発振波長を選択、ロックする半導体レーザ装置において、その光出力を十分に高める。【解決手段】 基板31上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体発光素子が直接結合される光導波路素子30において、光導波路のコア33の外側にこのコア33よりも低屈折率の第1クラッド31、36を形成し、この第1クラッド31、36とコア33との間に、該第1クラッド31、36とコア33の各屈折率の間の屈折率を有する第2クラッド32、34を形成した上で、コア33の幅を5μm以上とする。

請求項（抜粋）：

基板上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体発光素子が直接結合される光導波路素子において、光導波路のコアの外側にこのコアよりも低屈折率の第1クラッドが形成され、この第1クラッドと前記コアとの間に、該第1クラッドとコアの各屈折率の間の屈折率を有する第2クラッドが形成され、前記コアの幅が5μm以上とされていることを特徴とする光導波路素子。

IPC (2件)：

G02B 6/122 ,  H01S 5/14

FI (3件)：

H01S 5/14 ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 C

Fターム (19件)：

2H047KA03 ,  2H047LA03 ,  2H047MA07 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047RA08 ,  2H047TA17 ,  5F073AA45 ,  5F073AA67 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA09 ,  5F073CA13 ,  5F073FA06 ,  5F073FA14 ,  5F073FA25