複合荷電粒子ビーム装置、それを用いた試料加工方法及び透過電子顕微鏡用試料作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-035048
公開番号（公開出願番号）：特開2009-192428
出願日： 2008年02月15日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。【解決手段】イオンビーム鏡筒1と電子ビーム鏡筒2を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域7と照射禁止領域8を設定し、第三に前記照射可能領域7のみに電子ビーム照射を制限する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

試料をイオンビームでエッチング加工するイオンビーム鏡筒と、試料上の任意の領域に電子ビームを照射できる電子ビーム鏡筒と、電子ビーム照射による二次信号を検出可能な二次信号検出器と、電子ビーム照射位置と二次信号量を関連付けて画像化するデータ処理部と、前記データ処理部からの画像信号に基づき前記試料上の任意の領域の画像を表示させる画像表示部と、入力機器により指定された照射可能領域または照射禁止領域を電子ビーム照射位置データとして設定する照射位置設定手段と、該照射位置設定手段からの電子ビーム照射位置データに基づき電子ビーム照射位置を制御する照射位置制御手段とからなり、前記照射位置設定手段は、前記指定された領域が照射可能領域か照射禁止領域であるかに応じて電子ビーム照射位置データを更新し、よって前記照射位置制御手段は前記照射可能領域のみに電子ビーム照射を制限することを特徴とする複合荷電粒子ビーム装置

IPC (8件)：

G01N 1/32 , H01J 37/30 , H01J 37/31 , H01J 37/20 , G01N 1/28 , G01N 23/225 , H01J 37/22 , H01J 37/317

FI (9件)：

G01N1/32 B , H01J37/30 Z , H01J37/31 , H01J37/20 Z , G01N1/28 F , G01N1/28 G , G01N23/225 , H01J37/22 502H , H01J37/317 D

Fターム (20件)：

2G001AA03 , 2G001AA05 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001CA05 , 2G001GA06 , 2G001HA09 , 2G001HA13 , 2G001JA16 , 2G001KA11 , 2G001LA11 , 2G052AA13 , 2G052AD32 , 2G052AD52 , 2G052EC14 , 2G052EC18 , 2G052GA34 , 5C001CC01 , 5C034AB04 , 5C034DD09

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許公報第2811073号

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