特許
J-GLOBAL ID：200903078281003148
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008845
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217965
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】従来の配線層を形成する際の前処理方法では逃れることの出来ない、貫通孔底部に露出した第1の配線層の表層に層間絶縁膜からなる絶縁層の形成を防ぎ、かつ貫通孔の形成過程において第1の配線層の表層に形成されるフルオロカーボン系のポリマーの除去を効果的に行うことの出来る前処理方法を提供する事にある。【構成】成膜装置内で基板1をまず前処理室へ導入し、CF4 ,O2 の混合された前処理ガス7をもちいて発生させたプラズマ中で処理し、貫通孔の形成過程で第1の配線層2上に形成されたポリマー6を除去する。前処理ガス7がシリコンおよびその酸化膜との反応性に富んだ活性種を生成するため、貫通孔底部に露出した第1の配線層2の表層に層間絶縁膜3からなる絶縁層を形成することはなく、この後に成膜工程を経て、第1の配線層2と第2の配線層9とを、その間に絶縁膜を形成することなく接続し得る。
請求項（抜粋）：
半導体素子を形成した半導体基板上に設けられた第1の配線層を被覆する層間絶縁膜に第2の配線層との導通をとるための貫通孔を、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクパターンを反映してフルオロカーボン系のガスの単独またはO2 との混合ガスを用いる反応性イオンエッチングを用いて形成し、前記マスクパターンを除去したのちに、第2の配線層を形成する装置内に設けられ、配線層形成の為の処理室への搬送が、真空もしくは不活性ガスにより外気と遮断された状態において可能である処理室内にて行われる第2の配線層を形成するための前処理工程において、フルオロカーボン系ガスあるいはフルオロカーボン系ガスに含まれる一部もしくは全ての炭素を窒素,硫黄,水素のいずれかと置き換えた置換体であるガスの単独,またはO2 との混合ガスを用いて発生させたプラズマをもちいたプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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