特許
J-GLOBAL ID：200903078281926874
半導体ウェーハのエッチングの後処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 隆久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118371
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333897
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】混酸エッチング処理後に残留するアルミニウムなどの不純物を短時間かつ簡単に除去する。【構成】混酸エッチングを行った後であって水洗処理の乾燥を行う前に、フッ酸溶液を用いて半導体ウェーハの洗浄を行う。フッ酸溶液の濃度が、0.05体積%以上であり、このフッ酸溶液を用いた洗浄処理は、10リットル/分以上の流量でフッ酸溶液を20秒以上循環させながら行う。
請求項（抜粋）：
混酸エッチングを行った後であって水洗処理の乾燥を行う前に、フッ酸溶液を用いて半導体ウェーハの洗浄を行うことを特徴とする半導体ウェーハのエッチングの後処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/306
