特許

J-GLOBAL ID：200903078286331984

誘電体分離型半導体装置

発明者： 久米田 誠之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186235
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009245
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】誘電体分離型半導体装置における抵抗拡散層の抵抗値のばらつきを低減する。【解決手段】SOI基板101の一導電型の単結晶シリコン層104の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層107aの側面の全面は、埋め込み絶縁層103に達する溝113aに埋め込み絶縁膜115が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に埋め込み絶縁層と一導電型の単結晶シリコン層とが積層してなるSOI基板の該単結晶シリコン層の表面には、逆導電型の抵抗拡散層が設けられ、前記抵抗拡散層の側面の全面は、前記単結晶シリコン層の表面から前記埋め込み絶縁層に達する溝に埋め込み絶縁膜が充填されてなる誘電体分離領域に、直接に接触していることを特徴とする誘電体分離型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 27/04 R ,  H01L 21/76 D

Fターム (16件)：

5F032AA06 ,  5F032BA06 ,  5F032CA14 ,  5F032CA24 ,  5F032DA03 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA74 ,  5F038AR02 ,  5F038AR13 ,  5F038AR23 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ20