特許

J-GLOBAL ID：200903078291945290

利得可変型増幅器

発明者： 林 浩二
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 安孫子 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-045340
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237650
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 周囲温度の変化による利得可変時の増幅利得の変動がなく、安定した増幅利得特性を得る。【解決手段】 周囲温度が変化して第1及び第2の信号減衰用FET2,3のいわゆるチャンネル抵抗の変化による動作状態の変化が生じても、ゲート側に設けられたダイオード4の温度特性によりその動作状態の変化が補償され、その結果、周囲温度の変化による信号増幅用FET1の動作状態の変化が第1及び第2の信号減衰用FET2,3の動作により補償され、利得可変時の増幅利得の温度変化が抑圧され、安定した動作を得ることができるものとなっている。

請求項（抜粋）：

外部から印加される入力信号を増幅する信号増幅用FETと、外部から印加される利得制御電圧に応じて前記入力信号に対して減衰を与えるよう設けられた第1及び第2の信号減衰用FETとを具備してなる利得可変型増幅器であって、前記信号増幅用FETのゲートには、第1及び第2の入力カップリングコンデンサが接続され、これら第1及び第2の入力カップリングコンデンサを介して前記入力信号が印加され、前記第1及び第2の入力カップリングコンデンサの相互の接続点とアースとの間には、前記相互の接続点側から順に前記第1及び第2の信号減衰用FETとバイパスコンデンサが直列接続され、前記第1の信号減衰用FETのドレインと前記第2の信号減衰用FETのソースは、それぞれバイアス抵抗器を介して前記利得制御電圧が印加され、前記第1及び第2の信号減衰用FETのゲートは、それぞれゲート入力抵抗器を介して共にダイオードのアノードに接続され、当該ダイオードのカソードはアースに接続される一方、前記信号増幅用FETのドレインから増幅信号が得られるよう構成されてなることを特徴とする利得可変型増幅器。

IPC (2件)：

H03F 1/30 ,  H03G 3/10

FI (2件)：

H03F 1/30 A ,  H03G 3/10 D

Fターム (26件)：

5J090AA04 ,  5J090CA02 ,  5J090CA81 ,  5J090CN02 ,  5J090FA08 ,  5J090FA10 ,  5J090FN06 ,  5J090HA11 ,  5J090HA13 ,  5J090HA19 ,  5J090HA25 ,  5J090HA29 ,  5J090HA33 ,  5J090KA12 ,  5J090SA13 ,  5J090TA01 ,  5J090TA04 ,  5J100AA18 ,  5J100BA01 ,  5J100BB02 ,  5J100BB03 ,  5J100BB04 ,  5J100BC02 ,  5J100CA01 ,  5J100CA03 ,  5J100EA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高周波増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-063279   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097199   出願人：日本電気株式会社
• 高周波利得可変増幅回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-166346   出願人：新日本無線株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-175820   出願人：松下電子工業株式会社