特許

J-GLOBAL ID：200903078296429613

半導体装置の実装方法

発明者： 植田 希絵 ,  奥中 正昭 ,  諌田 尚哉 ,  藤田 祐治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163736
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016946
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】異方性導電膜の導電粒子を補足する半導体装置の実装方法の提供。【解決手段】回路基板12と接続される半導体装置1にバンプ3を形成する。平坦な金属板に導電粒子7を補足する。導電粒子7の直径より少し小さい凸部又は凹部を形成する。バンプ3の先端面に金属板の凹凸面を押しつけることによりバンプ3の先端面に均一な凹凸5,6を形成する。回路基板12上に異方性導電膜9を貼付け、半導体装置1を回路基板12に押圧し加熱して異方性導電膜9を硬化する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の電極上に金バンプを形成する工程と、回路基板上に異方性導電膜を貼り付ける工程と、前記金バンプよりも硬い材料よりなり前記異方性導電膜の導電粒子の径より小さい凹凸部が形成された押圧用基板を、前記半導体装置の金バンプの先端面に押圧することにより、前記金バンプの先端面に凹凸部を形成する工程と、前記金バンプと前記回路基板の電極とを位置合わせした後、前記半導体装置を前記異方性導電膜を貼り付けた前記回路基板に押圧し加熱する工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603 ,  H05K 1/18

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B ,  H05K 1/18 F