特許
J-GLOBAL ID：200903078299477740
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043967
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347280
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】基体上に形成された多結晶シリコン膜/金属シリサイド膜の2層膜のドライエッチング方法に関し、フロン系ガスを用いなくても、寸法制御性及びエッチングの選択比の向上を図ることができ、更に、エッチング後の被加工体の形状が耐エッチング性膜の形成領域の面積と被加工体の露出面積とのウエハ上の面積比率に依存しないようにすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基体21上に形成された多結晶シリコン膜24/金属シリサイド膜25の2層膜をドライエッチングする方法において、HBrガス,Br2 ガス及びBBr3 ガスのうち少なくともいずれか一つを含む反応ガスを用いて反応ガスをプラズマ放電により活性化し、かつ基体21の温度を60°C以上に保持した状態で、無機化合物からなる耐エッチング性膜37aをマスクとしてドライエッチングすることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された多結晶シリコン膜/金属シリサイド膜の2層膜を有する被加工体をドライエッチングする際に、HBrガス,Br2 ガス及びBBr3 ガスのうち少なくともいずれか一つを含む反応ガスを用いて該反応ガスをプラズマ放電により活性化し、かつ前記基体の温度を60°C以上に保持した状態で、無機化合物からなる耐エッチング性膜をマスクとして前記被加工体の選択的なエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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