特許

J-GLOBAL ID：200903078301179400

半導体磁気抵抗素子

発明者： 柿沼 制 ,  宮野 雅一 ,  岩井 克也
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074207
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269567
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 無磁界抵抗値を変えるために、簡便で低コストな感磁層厚を制御する方法を採用しつつ、磁気抵抗素子が得られ、感磁層の厚みが厚くても高いRB/R0を維持することが出来る半導体磁気抵抗素子、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体磁気抵抗素子は、半導体感磁層に短絡電極が形成された半導体磁気抵抗素子において、短絡電極が半導体感磁層の両面に対向して形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体感磁層に短絡電極が形成された半導体磁気抵抗素子において、短絡電極が半導体感磁層の両面に対向して形成されていることを特徴とする半導体磁気抵抗素子。