特許

J-GLOBAL ID：200903078305665910

積層体及びその製造方法、電気光学装置、電子機器

発明者： 宇都宮 純夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-309184
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079395
出願日： 2003年09月01日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 転写技術を用いてデバイス形成を行う場合において、剥離時の静電気による悪影響を回避することを可能とする技術を提供すること。 【解決手段】 本発明にかかる積層体の製造方法は、第1基板(10)上に剥離層(12)を形成する第1工程と、剥離層(12)上に複数の膜を積層して積層体(14)を形成する第2工程と、第1基板(10)の積層体(14)の形成面側に第2基板(18)を接合する第3工程と、第1基板(10)を介して剥離層(12)にエネルギーを付与し、当該剥離層(12)と第1基板(10)との界面に剥離を生じさせる第4工程と、第1基板(10)を第2基板(18)から分離する第5工程と、を含み、第1工程における剥離層(12)を導電性を有するように形成し、第5工程において第1基板(10)を分離する際に発生する電荷を剥離層(12)に拡散させることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1基板上に剥離層を形成する第1工程と、 前記剥離層上に複数の膜を積層して積層体を形成する第2工程と、 前記第1基板の前記積層体の形成面側に第2基板を接合する第3工程と、 前記第1基板を介して前記剥離層にエネルギーを付与し、当該剥離層と前記第1基板との界面に剥離を生じさせる第4工程と、 前記第1基板を前記第2基板から分離する第5工程と、を含み、 前記第1工程における前記剥離層を導電性を有するように形成し、前記第5工程において前記第1基板を分離する際に発生する電荷を前記剥離層に拡散させることを特徴とする、積層体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (7件)：

H01L27/12 B ,  H01L27/12 C ,  G02F1/1362 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 623A ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 626C

Fターム (21件)：

2H092JA25 ,  2H092JB79 ,  2H092MA09 ,  2H092MA27 ,  2H092MA31 ,  2H092NA14 ,  2H092PA01 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110DD25 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242198   出願人：セイコーエプソン株式会社