特許

J-GLOBAL ID：200903078309525404

導電層のプラズマ処理

発明者： シュトルム,ジェームズ,シー. ,  ウー,チュン-チー
出願人/特許権者： ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-501839
公開番号（公開出願番号）：特表2000-512795
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】半導電性及び導電性の層(10)の表面特性例えば仕事関数をプラズマ処理によって改質する方法。また、プラズマ処理で改質された半導電層又は導電層の使用による向上した性能の有機発光素子(100)のような電気デバイスも開示されている。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理によって改変された仕事関数を有する半導電層又は導電層を含んでいる電気デバイス。

IPC (2件)：

H05B 33/28 ,  H05B 33/14

FI (2件)：

H05B 33/28 ,  H05B 33/14 A