特許
J-GLOBAL ID：200903078315804617
酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに超電導トンネル接合およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305124
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007027
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】基板面に垂直な方向に大きな臨界電流密度およびコヒーレンス長が得られる酸化物超電導薄膜を提供する。【構成】活性酸素とBi系、Tl系、Pb系からなる群より選択される酸化物を構成する一部の金属成分を供給して基板上に酸化物からなる組成変調膜を形成し、さらに活性酸素とBi系、Tl系、Pb系からなる群より選択される酸化物を構成する全部の金属成分を供給して組成変調膜上に酸化物超電導薄膜を形成することにより、全c軸のうち基板面に垂直な方向に向いているc軸の割合を1%以下に抑える。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたBi系、Tl系、Pb系からなる群より選択される酸化物からなる酸化物超電導薄膜において、前記酸化物の全c軸のうち前記基板面に垂直な方向に向いているc軸の割合が1%以下であることを特徴とする酸化物超電導薄膜。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
