特許
J-GLOBAL ID：200903078316046112
薄膜トランジスタ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 一公
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114311
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326309
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 多層ゲート膜を有し歩留りを向上させることのできる薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供する。【構成】 第一の電極2としてゲート電極を形成し、陽極酸化法により第一の絶縁膜3としてAl2 O3 膜を2000Å形成し、陽極酸化をホウ酸アンモニウムを主成分とする電解液を30°Cに加温し、電流密度5mA/cm2、所定電圧140Vまで定電流で行なった。140V到達後は定電圧で電流値が初期の1%に低下するまで延長した。形成した陽極酸化膜を特定時間放置した後、再陽極酸化膜4を形成して欠陥の修復を行なう。再陽極酸化条件は電流密度と電圧は1回目の条件以下であり、電流値が1回目の最終値以下に低下するまで行なった。次に第二の絶縁膜5SiNxを2000Åと半導体層6のa-Siを500Å連続製膜した。Alを3000Å形成した後、第二の電極7としてソース電極を形成して薄膜トランジスタ素子を完成した。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に第一の電極を部分的に形成する工程と、第一の電極表面に陽極酸化により第一の絶縁膜を形成する工程と、第一の絶縁膜上に第二の絶縁膜を形成する工程と、第二の絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、半導体層上に第一の電極に直交して第二の電極を形成する工程からなる薄膜トランジスタ素子において、第一の絶縁膜形成後から10時間以上放置した後、第二の絶縁膜形成前に第一の絶縁膜を再度陽極酸化する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子の製造方法。
引用特許：
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