特許
J-GLOBAL ID：200903078317018783
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295798
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151779
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 低リークで、低コンタクト抵抗値で、高しきい値電圧マージンを有し、短納期化が実現できるマスクROMの製造方法を提供する。【構成】 イオン注入によりデータの書き込みを行うマスクROMを含む半導体装置の製造方法において、ゲート電極3、絶縁膜5の上に高融点金属6を堆積して、マスクパターン9をマスクとしてROMデータの書き込みイオン注入を行い、高融点金属6、絶縁膜5、ゲート電極3を介してトランジスタのチャネル部10に不純物を導入し、その後、比較的高温のアニールを行い、しきい値電圧を変化させる方法による。
請求項（抜粋）：
マスクROMにおいてメモリーセル部となるトランジスタのしきい値電圧をイオン注入で相違させることによりデータを書き込む方式のROMを含む半導体装置の製造方法において、前記トランジスタのゲート電極上方に少なくとも一層以上の高融点金属を成膜し、ROMデータの書き込みイオン注入を行い、活性化アニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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