半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294413
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153786
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホール内で下層の導体層と接続する上層の電極配線の接触面積を増大してコンタクト抵抗を低減させる。【構成】コンタクトホール6,7を含む表面に堆積した多結晶シリコン膜8の表面をエッチング速度の不純物濃度依存性の大きい第1のエッチングと不純物濃度依存性の小さい第2のエッチングで加工し高低差の大きい凹凸を形成した後、バリアメタル膜9およびアルミニウム系合金膜10を堆積してパターニングし、低コンタクト抵抗の電極配線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に形成した拡散層を含む表面に層間絶縁膜を形成し前記層間絶縁膜を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールに露出した前記拡散層を含む表面に不純物を含有する多結晶シリコン膜を堆積する工程と、エッチング速度の不純物濃度依存性の大きい第1のエッチングで前記多結晶シリコン膜の不純物濃度の高い結晶粒界および結晶欠陥をエッチングして多孔質層を形成した後エッチング速度の不純物濃度依存性の小さい第2のエッチングで前記多孔質層を除去し高低差の大きい凹凸を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の表面にバリアメタル膜および金属膜を順次堆積してパターニングし電極配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/306 G , H01L 21/90 D

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