微細パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336892
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194024
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【構成】一般式[I]【化1】で示される重合体と、電子ビームの照射によって酸を発生する事ができる酸発生剤と、これ等を溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料とこれを用いた微細パターン形成方法。【効果】本発明のレジスト材料を電子線レジストとして使用する事により、高感度で、高解像度、且つ安定したパターン寸法を維持したポジ型のレジストパターンを形成を出来る。特に本発明に係る重合体は酸の存在下、極めて容易に脱離可能な保護基を有しているのが特徴であり、これに適当な酸発生剤を組み合わせる事により極めて高感度化を可能にし、スループットが向上する。又、アルカリ水溶液を現像液として用いる事が出来るので、現像時の膨潤もなく、環境上、人体上にも問題はなく、容易に微細パターンを形成する事が出来、超高密度集積回路の製造に大きな価値を有するものである。

請求項（抜粋）：

一般式[I]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し(但し、R2及びR3が共に水素原子の場合は除く。)、又、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、R5は水素原子を表し、R6は水素原子又はメチル基を表し、R7は下記一般式[II]【化2】(但し、Zは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基を表す。)を表し、k、l及びmは夫々独立して自然数を表す{但し、0.1≦k/(k+l)≦0.9、0.05≦m/(k+l+m)≦0.50である。}。]で示される重合体。

IPC (8件)：

C08F212/14 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , G03F 7/38 501 , G03F 7/38 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (9件)：

C08F212/14 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , G03F 7/38 501 , G03F 7/38 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573

Fターム (46件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096CA05 , 2H096DA01 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 2H096KA08 , 2H096KA18 , 2H096KA19 , 4J100AB02R , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100BA02P , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BB00R , 4J100BC01P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100FA03 , 4J100JA38 , 5F046NA07

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-219757
特開平3-223865
特開平3-223866

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審査官引用 (4件)

特開平4-219757
特開平3-223865
特開平3-223866

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