特許

J-GLOBAL ID：200903078349636446

Cu又はCu含有膜の形成方法、及び装置

発明者： 坂本 仁志
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089695
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284285
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】制御性良く均質、高品質なCu膜あるいはCu1-xSix膜を形成することを課題とする。【解決手段】真空容器1と、この真空容器1内に配置され、片面にCu板4を支持する加熱冷却装置2と、前記真空容器1内に配置され、片面に基板6を該基板6が前記Cu板6と向き合うように支持する基板加熱装置3と、前記真空容器1内のCu板6に塩素ガスを照射する塩素ガスノズル7と、この塩素ガスノズル7からのガスの流量を制御する流量制御装置9と、前記真空容器1内を排気する真空排気装置10とを具備することを特徴とするCu膜の形成装置。

請求項（抜粋）：

真空容器内の基板上にCu膜又はCu含有膜を形成する方法であり、Cu板を原材料とし、かつ塩素ガス又はジクロロシランガスを用いてエッチングすることにより、CuxClyフラックス又はCuxSiyClzフラックスを生成し、これを基板へ輸送することを特徴とするCu又はCu含有膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52

Fターム (12件)：

4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030BA01 ,  4K030EA04 ,  4K030KA22 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20