特許
J-GLOBAL ID:200903078352427432
高抵抗化酸化インジウム膜
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
東海 裕作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-085971
公開番号(公開出願番号):特開平7-223814
出願日: 1994年03月31日
公開日(公表日): 1995年08月22日
要約:
【要約】【目的】高抵抗な、しかも均一性、透過率性及び耐熱性に優れた酸化インジウム膜を提供する。【構成】2価、3価、4価又は5価の原子価をとりうる元素の少なくとも一種(ホウ素を除く)、及びIn元素に対して0.05〜20原子%のB(ホウ素)元素を含有する酸化インジウム膜、及び酸素含有雰囲気又はオゾン含有雰囲気中で処理する該酸化インジウム膜の成膜方法。【効果】200〜3000Ω/□の比較的高抵抗で、リニアリティ値が±2%以内の均一性に優れ、しかも透過率性及び耐熱性に優れた酸化インジウム膜が得られる。
請求項(抜粋):
B(ホウ素)元素を含有することを特徴とする酸化インジウム膜。
IPC (5件):
C01G 19/00
, C01G 19/02
, C03C 17/245
, C03C 17/34
, H01C 7/00
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
特開昭59-213623
-
特開昭60-186416
-
透明導電膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-284457
出願人:松下電器産業株式会社
-
特開平1-242417
全件表示
審査官引用 (4件)