特許

J-GLOBAL ID：200903078355340338

固体撮像素子

発明者： 井上 知己
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-169452
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353625
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 光電変換膜を積層する構造の固体撮像素子において、十分な色再現性を得られるようにすること及び既存の製造技術を利用可能とすること。【解決手段】 半導体基板上方に積層された光電変換膜と、半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を信号読出回路によって外部に読み出す固体撮像素子100であって、光電変換膜は半導体基板上方に4つ積層され、固体撮像素子100の複数の画素5は、それぞれ4つの光電変換膜と、当該4つの光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する半導体基板上に配列された4つの電荷蓄積領域1〜4とを含み、1画素に含まれる4つの電荷蓄積領域1〜4は、半導体基板上において互いに隣接し、且つ、四角状に配列されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上方に積層された光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す固体撮像素子であって、 前記光電変換膜は前記半導体基板上方に4つ積層され、 前記固体撮像素子の複数の画素は、それぞれ前記4つの光電変換膜と、前記4つの光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する前記半導体基板上に配列される4つの電荷蓄積領域とを含み、 前記4つの電荷蓄積領域は、前記半導体基板上において互いに隣接し、且つ、四角状に配列されている固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N9/07

FI (4件)：

H01L27/14 E ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 U ,  H04N9/07 A

Fターム (26件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA08 ,  4M118CA15 ,  4M118CA19 ,  4M118CA22 ,  4M118CA24 ,  4M118CA27 ,  4M118CB01 ,  4M118DD03 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  5C024AX01 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX02 ,  5C024GX21 ,  5C024GY01 ,  5C024HX01 ,  5C065CC01 ,  5C065DD02 ,  5C065DD17 ,  5C065EE06 ,  5C065EE10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-271555   出願人：日本放送協会