特許
J-GLOBAL ID：200903078357252754
半導体装置へのバンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240304
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074251
出願日： 1993年09月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハー内の全半導体装置にわたってバンプが形成できるようにする。【構成】 半導体装置にバンプを形成する方法において、下地材料としてのバリヤメタル4の上に感光性液状レジスト5を塗布する工程と、前記感光性液状レジスト5の上に感光性ドライフィルムレジスト7をラミネートする工程とによってバンプ13を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置にバンプを形成する方法において、下地材料の上に感光性液状レジストを塗布する工程と、前記感光性液状レジストの上に感光性ドライフィルムレジストをラミネートする工程とを有することを特徴とする半導体装置へのバンプ形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/78
, H01L 21/027
, H01L 21/60 311
H01L 21/72
, H01L 21/30 573
