特許

J-GLOBAL ID：200903078364126713

研磨装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 一行 ,  佐々木 孝典 ,  澤田 真人 ,  蔦原 晃一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018245
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216120
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の被研磨面の研磨量が安定し、被研磨面にマイクロスクラッチが発生するのが抑制される研磨装置とその研磨装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッド2上にウェハを保持するトップリング3が配置されている。そのトップリング3に対して回転方向前方のパッド2の上方には、研磨薬液を供給するための研磨用薬液供給ライン6が配置されている。パッド2の回転中心のまわりには円柱の側面を成すように仕切板9が配置されている。トップリング3に対して回転方向後方のパッド2の上方には、仕切板9からパッド2の外周へ向かって連続して延びる研磨用薬液排除機構7が配置されている。

請求項（抜粋）：

回転中心を有して回転し、被研磨面を研磨するための研磨面部と、前記研磨面部上に前記研磨面部と対向させて配置され、一連の研磨洗浄作業を行なうための研磨部と、前記研磨部に対して回転方向前方の前記研磨面部上に配置され、前記研磨面部に研磨作業のための薬液を供給する薬液供給部と、前記研磨部に対して回転方向後方の前記研磨面部上に配置され、前記研磨面部上の廃液を除去するための廃液除去部と、を備え、前記研磨面部の回転中心のまわりには、前記廃液除去部とともに、前記研磨面部上の前記薬液および前記廃液が前記回転中心近傍の領域を経て、前記廃液除去部に対して回転方向後方の前記研磨面部の領域へ流れ込むのを阻止する仕切部が形成され、前記廃液除去部は、前記仕切部から前記研磨面部の外周に向かって連続して配置されている、研磨装置。