特許

J-GLOBAL ID：200903078364760617

半導体装置

発明者： 桑原 平吉 ,  鈴木 敦 ,  山村 博久 ,  八幡 光一 ,  藤枝 信男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022428
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 絶縁層、モジュール基板の線膨張係数を半導体チップを構成するシリコンに近い値とした半導体装置において、半導体チップの温度を低く保つ。【解決手段】モジュール基板6の半導体チップ(IGBT素子2)が配置されている側の面の反対側の面に直接接する冷媒室11を設け、この冷媒室11に冷媒を導入するノズル18を設け、ノズル18から噴出する冷媒流が、モジュール基板6の半導体チップ(IGBT素子2)が配置されている部分の裏側になる部分に当たる位置にノズル18を配置する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体チップがモジュール基板の一方の面に接合された絶縁層に半田付けされてなるモジュールと、前記モジュール基板の他方の面に結合され該他方の面に直接、冷媒を接触させる冷媒室を備えたヒートシンクとを含んで形成され、前記冷媒で前記モジュールを冷却するように構成された半導体装置において、前記ヒートシンクの冷媒室に冷媒を循環させるポンプが設けられ、前記冷媒はこのポンプに加圧されて前記モジュール基板の他方の面に沿って流れつつモジュールを冷却することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-045899
  
• 特開平2-068956
  
• 特開平4-256348