特許

J-GLOBAL ID：200903078374114861

半導体装置における抵抗の製造方法

発明者： 岡田 展幸
出願人/特許権者： 日立電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223660
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053226
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 マスタスライス方式によって抵抗を形成する場合、一定の長さおよび幅の抵抗素子に任意の抵抗値を作ることができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】 同一拡散上の一定の長さおよび幅の抵抗素子の全てまたは一部分に、追加の拡散工程を行なうことにより、一定の長さの抵抗素子に任意の抵抗値を作る。

請求項（抜粋）：

半導体装置における抵抗の製造方法において、第一の導電形の拡散で形成した抵抗素子の全てまたは一部分に、第二の拡散を行なうマスタスライス方式の半導体装置であって、該第二の拡散は前記第一の導電形の拡散と同一の拡散条件の拡散を行ない、前記第二の拡散の幅および長さを第一の拡散の幅および長さと異なる拡散とすることを特徴とする半導体装置における抵抗の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Fターム (5件)：

5F038AR02 ,  5F038AR12 ,  5F038AR22 ,  5F038AR23 ,  5F038EZ20