特許
J-GLOBAL ID：200903078378131892
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032945
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206463
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極の端部からソース、ドレイン領域を十分な距離離し、電界強度が小さくなるようにする。【構成】 ゲート電極7の端部における絶縁膜6の厚さを、該端部以外の絶縁膜6の厚さよりも厚くする。
請求項（抜粋）：
ソース、ドレイン領域がチャネル領域を介して形成され、該チャネル領域上に絶縁膜を介してゲート電極が形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極の端部における絶縁膜の厚さを、該端部以外の絶縁膜の厚さよりも厚くしたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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