特許
J-GLOBAL ID：200903078379690879

半導体製造装置および該装置のクリーニング方法

発明者：
飯島 正行

飯島 正行 について

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佐藤 昌敏

佐藤 昌敏 について

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浮島 禎之

浮島 禎之 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191799
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021867
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜用の低比誘電率高分子膜を安定して形成する半導体製造装置および高分子膜を安定して形成する方法の開発。【解決手段】 半導体製造装置において、蒸着重合中に蒸着重合室の内壁面に付着した原料モノマー、該原料モノマーの重合物、または該モノマーと該重合物との両者の混合物からなる膜を酸素プラズマでクリーニングするために、該蒸着重合室が酸素の導入および放電が可能な電極またはアンテナを備えている。かかる装置を用いて、該蒸着重合室内で基板上に該原料モノマーを蒸着重合せしめて層間絶縁膜を形成した後に、該蒸着重合室の内壁面に付着した前記膜を酸素プラズマでクリーニングする。
請求項（抜粋）：
ウエハーの出し入れのための室とウエハーの搬送ロボットを備えたコア室と複数の半導体製造プロセス室とからなり、該プロセス室の少なくとも一室が蒸着重合用原料モノマーの蒸発源を有する蒸着重合室である枚葉式半導体製造装置において、蒸着重合中に該蒸着重合室の内壁面に付着した該原料モノマー、該原料モノマーの重合物、または該モノマーと該重合物との両者の混合物からなる膜を酸素プラズマでクリーニングするための、酸素の導入および放電が可能な電極またはアンテナを、該蒸着重合室が備えていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (6件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645
FI (6件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 N
Fターム (41件)：
4K030DA06 ,  4K030GA12 ,  4K030JA05 ,  4K030KA41 ,  4K057DD01 ,  4K057DG07 ,  4K057DM36 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BC03 ,  5F004BC06 ,  5F004DA26 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB39 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AE09 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB09 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EE10 ,  5F045EH11 ,  5F045EN04 ,  5F045HA11 ,  5F045HA23 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB06 ,  5F103BB42 ,  5F103DD25 ,  5F103DD28 ,  5F103PP01 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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