特許

J-GLOBAL ID：200903078380732798

半導体装置及びその製造方法並びにめっき方法及び装置

発明者： 北田 秀樹 ,  清水 紀嘉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-350018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173949
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 コンタクトホールや配線を微細化した場合であってもボイドを生じることなく良質な導体プラグや配線を形成することができる半導体装置及びその製造方法、並びに良質なめっき層を形成することができるめっき方法及びめっき装置を提供する。【解決手段】 下地基板10上に形成された開口部22を有する絶縁層20と、開口部内に形成された導電層32とを有する半導体装置であって、導電層は、第1のめっき法により形成された第1のめっき層28と、第1のめっき法と電流・電圧供給方法が異なる第2のめっき法により形成された第2のめっき層30とを有し、第1のめっき法は、直流めっき法、定電流パルスめっき法、周期的逆電流パルスめっき法、又は非対称交流めっき法のいずれかであり、第2のめっき法は、直流めっき法、定電流パルスめっき法、周期的逆電流パルスめっき法、又は非対称交流めっき法のいずれかである。

請求項（抜粋）：

下地基板上に形成された開口部を有する絶縁層と、前記開口部内に形成された導電層とを有する半導体装置であって、前記導電層は、第1のめっき法により形成された第1のめっき層と、前記第1のめっき法と電流・電圧供給方法が異なる第2のめっき法により形成された第2のめっき層とを有し、前記第1のめっき法は、直流めっき法、定電流パルスめっき法、周期的逆電流パルスめっき法、又は非対称交流めっき法のいずれかであり、前記第2のめっき法は、直流めっき法、定電流パルスめっき法、周期的逆電流パルスめっき法、又は非対称交流めっき法のいずれかであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/12 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (53件)：

4K024AA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA14 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA07 ,  4K024CA08 ,  4K024CB13 ,  4K024DB07 ,  4K024GA01 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD28 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13