特許
J-GLOBAL ID：200903078381359624
メサ型圧電振動子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314897
公開番号（公開出願番号）：特開2006-129096
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】電極パターンを保護膜として圧電基板をエッチングするメサ型圧電振動子の製造方法において、引出電極形成時に肉厚部分と肉薄部分との段差に電極の段切れが発生することを防止し、信頼性高いメサ型圧電振動子を提供することを目的とする。【解決手段】平行平板の圧電基板の主面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストを露光及び現像し所定のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンを保護膜として前記金属膜をエッチングし電極パターンを形成する工程と、該電極パターンと前記フォトレジストパターンとを保護膜として前記圧電基板をエッチングし肉薄部を形成する工程と、前記フォトレジストパターンを保護膜として前記電極パターンの辺縁のオーバハング部分をエッチングにて除去する工程とを備えたことを特徴とするメサ型圧電振動子の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
平行平板の圧電基板の主面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストを露光及び現像し所定のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンを保護膜として前記金属膜をエッチングし電極パターンを形成する工程と、該電極パターンと前記フォトレジストパターンとを保護膜として前記圧電基板をエッチングし肉薄部を形成する工程と、前記フォトレジストパターンを保護膜として前記電極パターンの辺縁のオーバハング部分をエッチングにて除去する工程とを備えたことを特徴とするメサ型圧電振動子の製造方法。
IPC (4件)：
H03H 3/02
, H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/18
H03H3/02 B
, H01L41/22 Z
, H01L41/08 L
, H01L41/18 101A
