特許

J-GLOBAL ID：200903078383274880

スパッタリングターゲット及び同製造用粉末

発明者： 高橋 秀行 ,  矢作 政隆 ,  中村 篤志
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328368
公開番号（公開出願番号）：特開2004-162109
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素を減少させることのできるSb-Te系スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該スパッタリングターゲットを製造するために好適な焼結用粉末を提供する。【解決手段】平均結晶粒径が20μm以下、抗折力が60MPa以上、酸素含有量が1000ppm以下であるSb-Te系スパッタリングターゲット。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

焼結原料粉となるアトマイズ粉の粒度が20μm未満であり、焼結体ターゲットの平均結晶粒径が20μm以下であることを特徴とするSb-Te系スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C1/04

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  B22F1/00 R ,  C22C1/04 E

Fターム (9件)：

4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BB06 ,  4K018BC08 ,  4K018KA29 ,  4K029BD00 ,  4K029DC01 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09