特許

J-GLOBAL ID：200903078385453153

III族窒化物結晶の表面処理方法およびIII族窒化物結晶基板

発明者： 西浦 隆幸 ,  石橋 恵二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-127443
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299979
出願日： 2006年05月01日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】砥粒を含むスラリーによるポリシング後のIII族窒化物結晶の表面に残留する砥粒などの不純物を除去できるIII族窒化物結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の表面処理方法は、III族窒化物結晶1の表面を、砥粒を含むポリシングスラリーによりポリシングした後、少なくとも1回ポリシング液27によりポリシングする工程を含み、各々のポリシング液27によりポリシングする工程において、ポリシング液27として、塩基性のポリシング液または酸性のポリシング液を用いることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶の表面を、砥粒を含むポリシングスラリーによりポリシングした後、少なくとも1回ポリシング液によりポリシングする工程を含み、 各々の前記ポリシング液によりポリシングする工程において、前記ポリシング液として、塩基性のポリシング液または酸性のポリシング液を用い、 前記塩基性のポリシング液は、C、O、HおよびNの少なくともいずれかを構成元素とする塩基またはその塩および酸化剤からなる群から選ばれる少なくとも1種類を含み、pHが8.5以上14以下であり、pHの値xと酸化還元電位の値y(mV)とが以下の式(1)の関係を満たし、 前記酸性のポリシング液は、C、O、HおよびNの少なくともいずれかを構成元素とする酸またはその塩および酸化剤からなる群から選ばれる少なくとも1種類を含み、pHが1.5以上6以下であり、pHの値xと酸化還元電位の値y(mV)とが以下の式(1)の関係を満たすことを特徴とするIII族窒化物結晶の表面処理方法。 y>-50x+800 ・・・(1)

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (1件)：

H01L21/304 622Q

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,488,767号明細書
  
• 米国特許第6,399,500号明細書