特許

J-GLOBAL ID：200903078396289142

埋め込み構造半導体レーザの製造方法

発明者： 近藤 康洋
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349283
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202317
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 半絶縁層で埋め込まれた素子容量の小さい埋め込み構造半導体レーザを簡単な作製工程で作製する。【構成】 n形InP基板1上にn形InP層3,アンドープInGaAsP層4およびp形InP層5をMOVPE法により成長し、フォトリソグラフィおよびエッチングによって〈011〉方向にメサ構造を形成した後、MOVPE法によりFeドープ半絶縁InP層6,Seドープn形InP層7を成長する。このとき、n形InP層7のSeドーピング濃度を8×1018cm-3以上にすると、リッジ構造頂上部のn形InP層7の成長が抑制され、リッジ構造頂上部にはn形InP層7は堆積せず、次にp形InP層8,p形InGaAsP層9を成長し、このとき、p形InP層8中からFeドープ半絶縁InP層6中にZnが拡散し、メサ構造上部に成長したFeドープ半絶縁InP層6aはp形化される。

請求項（抜粋）：

n形(100)III-V 族化合物半導体基板上に活性領域を有する〈011〉方向のメサストライプを形成する工程と、前記半導体基板の全面に有機金属気相成長法により半絶縁半導体電流ブロック層,所定の濃度のVI族元素をドーピングしたn形半導体層を堆積する工程と、前記半絶縁半導体電流ブロック層およびn形半導体層上にp形半導体オーバークラッド層,p形半導体キャップ層を堆積し、前記活性領域上部の半絶縁半導体電流ブロック層をp形化する工程と、を有することを特徴とする埋め込み構造半導体レーザの製造方法。