特許
J-GLOBAL ID:200903078397727380

窒化アルミニウム基板上にアルミニウム被覆構造を形成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川口 義雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-146675
公開番号(公開出願番号):特開平7-058436
出願日: 1994年06月28日
公開日(公表日): 1995年03月03日
要約:
【要約】【目的】 寸法の小さな穴に導電構造を形成し、しかも得られた導電構造の均一性と密着性とを向上する。【構成】 本発明は、窒化アルミニウム基板上の所定の領域内にアルミニウム被覆構造を形成する方法を対象としており、上記領域を、パルス・モードで作動し、193〜351nmの範囲の波長を有する紫外線レーザによって照射し、上記領域上でのエネルギー密度が500mJ/cm2 に等しいか、それを上回ることを特徴としている。本発明は同じく、前述の方法によって得られ、厚さが1μm未満のアルミニウム層を含むアルミニウム被覆構造を対象としている。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウム基板の所定領域上にアルミニウム被覆構造を形成する方法であって、上記領域をパルス・モードで作動し、193〜351nmの範囲の波長を有する紫外線レーザで照射し、また上記領域におけるエネルギー密度が500mJ/cm2 に等しいか、それを上回ることを特徴とする方法。
IPC (3件):
H05K 3/10 ,  C23F 4/02 ,  H05K 3/40

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