特許
J-GLOBAL ID:200903078408272003

選択的な無電解メッキの方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-275490
公開番号(公開出願番号):特開平6-029246
出願日: 1991年10月23日
公開日(公表日): 1994年02月04日
要約:
【要約】【目的】 誘電体基板内の比較的深く且つ狭いトレンチ中に金属を無電解メッキする技術を提供することを目的とする。【構成】 誘電体基板内の選択された領域に無電解メッキをするための方法に用いられる組成物及び方法。基板は、基板に結合する接着部分と無電解メッキに対する触媒として作用する金属含有部分とを有する組成物と接触する。組成物は無電解メッキがなされる、基板上の露出した表面に接触する。そして組成物はその露出した部分と結合する。
請求項(抜粋):
誘電体基板上に金属を無電解メッキをする方法であって、(a)誘電体基板を用意し(b)金属含有部分と前記基板へ結合して金属含有物質の層を形成する結合部分とを含む分子構造を有する組成物を、前記基板と接触させ、金属含有部分は、前記基板へ結合した前記物質の層の表面を形成するものであり、(c)その後、形成された金属含有部分の層上に金属を無電解メッキする、各工程から成る前記方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-165776
  • 特開昭62-238374
  • 特開昭53-140967
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